稍微关心点国际形势的朋友肯定知道，近两年，在光刻机方面，我们从始至终在被卡脖子，虽然经过华为等多家公司的努力，我们已实现了从90纳米到28纳米！在军工方面没问题了，但是在日用品方面还是跟国际上的领先水平有一定差距。
不过好消息是我们的光刻机90%的零件都可以自产，并且在2024年12月国产光刻机正式出口。而哈工大传来的消息，在光刻机的研发上又传来了突破性的消息。
在黑龙江省高校与科研院所职工科学技术创新成果转化大赛中，航天学院赵永蓬教授的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获一等奖。这一成果不仅展示了哈工大在光刻机领域的深厚底蕴，更为我国EUV光刻机的研发提供了新的思路和方法。
在当今芯片制造已成为衡量一个国家科学技术实力的重要标志。而光刻机，作为芯片制造的核心设备，其性能直接决定了芯片制程的先进程度。可是由于技术被卡脖子，光刻机的制造技术难度极高，尤其是EUV（极紫外）光刻机，更是成为了全球科学技术竞争的焦点。
这里普及一下，光刻机，是芯片制作的完整过程中不可或缺的一环。它通过将电路图案精确地转移到硅片上，实现了芯片的批量生产。光刻机有EUV与DUV之分，其中EUV光刻机以其更高的分辨率和更低的制造成本，成为了先进芯片制造的首选。然而，EUV光刻机的制造技术却异常复杂，涉及光学、机械、电子、材料等多个领域，是我们国家科技领域的一大短板。
如果实现突破，那更小纳米级的芯片的生产能力就会激活，同类芯片的价格就能降下来，然后手机、电脑、电子科技类产品都会便宜。这就是哈工大这个研发的意义所在，
据赵永蓬教授介绍，“放电等离子体极紫外光刻光源”项目通过放电等离子体技术，成功地产生了中心波长为13.5纳米的极紫外光。这种光源具有极高的亮度和稳定能力，能够很好的满足极紫外光刻市场对光源的迫切需求。
当然光源问题只是研发光刻机其中之一。它的出现，能够部分解决了EUV光刻机制造中的光源问题。但是在能量问题、光线引导等问题方面，还要进一步的研究。
此外，我们还应该看到，哈工大的这一成果并不是孤立的。正因为在光刻机上的差距，我国众多的科研院所和高校在光刻机领域都取得了许多重要的突破。这些成果的出现，不仅有了可以在一定程度上完成超越的基础，更可能诞生多种超越的可能性。这就跟同一天出现三架六代机一样，不同的思路，虽然殊途同归，但是性能会有差距，也会有更多的选择和可能。
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